[发明专利]制造集成电路器件的方法在审
| 申请号： | 201811327993.8 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110275389A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 朴珍;南象基;韩奎熙;金进玉;朴镇弘;刘光渭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂膜 电场 衬底 透过层 电极 导电聚合物层 集成电路器件 主表面延伸 方向垂直 抗蚀剂膜 离子层 酸扩散 主表面 填充 集成电路 制造 施加 扩散 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在衬底的主表面上形成光致抗蚀剂膜，所述光致抗蚀剂膜包括光致产酸剂PAG；曝光所述光致抗蚀剂膜的第一区域，以在所述光致抗蚀剂膜的第一区域中产生酸；通过经由在所述光致抗蚀剂膜和面向所述衬底的主表面的电极之间的电场透过层在与所述衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对所述光致抗蚀剂膜施加电场，使酸在所述光致抗蚀剂膜的第一区域中扩散；以及通过显影所述光致抗蚀剂膜形成光致抗蚀剂图案，其中，所述电场透过层包括含离子层或导电聚合物层。
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