[发明专利]存储器件有效
| 申请号： | 201811329735.3 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109768159B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 宋苏智;朴正勋;殷圣豪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；以及存储单元结构，在第一导电线和第二导电线之间的交叉点处并且连接到第一导电线和第二导电线，每个存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层。每个电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上减小的水平宽度，并且每个电阻存储层的与第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上增大的水平宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与所述第一方向交叉的第二方向在所述第一导电线上延伸；以及存储单元结构，在所述第一导电线和所述第二导电线之间的交叉点处并且连接到所述第一导电线和所述第二导电线，每个所述存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在所述第一电极层和第二所述电极层之间的电阻存储层，其中每个所述电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上减小的水平宽度，并且其中每个所述电阻存储层的与所述第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上增大的水平宽度。
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