[发明专利]进气装置和化学气相沉积设备有效
| 申请号： | 201811339845.8 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111172516B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 袁福顺 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种进气装置，所述进气装置用于化学气相沉积设备，所述进气装置包括沿进气方向间隔设置的多级气体混合腔，相邻两级气体混合腔之间通过若干个间隔设置的通道相连通，其中，任意一级所述气体混合腔的腔壁上均设置有至少一个进气口，每个所述进气口用于通入其中一种工艺气体；位于最后一级所述气体混合腔的腔壁上设置有若干个出气口。本发明还提供一种化学气相沉积设备。利用所述化学气相沉积设备进行化学气相沉积工艺时，工艺气体基片表面分布更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
