[发明专利]一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺有效
申请号: | 201811340530.5 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109494181B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 陶金;梁静秋;梁中翥;王惟彪;孟德佳;吕金光;秦余欣;李阳;王家先;赵永周 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B81C1/00 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺,属于微型阵列器件制作技术领域,用于解决尺寸在5‑100μm范围内的微型芯片转移制备问题,本发明设置有基座,其一端具有基座导气孔,用于与真空吸盘的导气孔贯通,所述基座另一端具有与芯片接触的密封层,所述基座位于所述基座导气孔端的表面通过密封胶与所述真空吸盘固连;凸台,其固连在所述基座远离所述基座导气孔的一侧,所述密封层固连在所述凸台上表面,所述凸台具有贯穿于所述基座、并与所述基座导气孔连通的凸台导气孔,本发明具有转移效率高、结构简单、易于制备的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 微型 芯片 转移 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种微型芯片转移吸嘴,其特征在于,包括:基座(10),其一端具有基座导气孔(11),用于与真空吸盘(15)的导气孔(17)贯通,所述基座(10)另一端具有与芯片接触的密封层(14),所述基座(10)位于所述基座导气孔(11)端的表面通过密封胶与所述真空吸盘(15)固连;凸台(12),其固连在所述基座(10)远离所述基座导气孔(11)的一侧,所述密封层(14)固连在所述凸台(12)上表面,所述凸台(12)具有贯穿于所述基座(10)、并与所述基座导气孔(11)连通的凸台导气孔(13)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811340530.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆承载装置
- 下一篇:一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造