[发明专利]竖直构造的温度感测电阻器及其制造方法有效
| 申请号： | 201811343564.X | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786055B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | G·K·塞斯特拉;A·斯特拉坎 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/00;G01K7/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;孙尚白 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及竖直构造的温度感测电阻器及其制造方法。公开一种提供竖直构造的温度感测电阻器(100)的方法和装置。示例装置包括半导体衬底(101)，其包括第一掺杂区(102)、第二掺杂区(104)、以及在第一掺杂区(102)和第二掺杂区(104)之间的第三掺杂区(106)，第三掺杂区(106)包括温度敏感的半导体材料；第一接触件(110)，其耦接到第一掺杂区(102)；与第一接触件(102)相对的第二接触件，其耦接到第二掺杂区(104)；以及隔离沟槽(108)，其界定第三掺杂区(106)。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 构造 温度 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，其包括：半导体衬底，其包括第一掺杂区、第二掺杂区、以及在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的第三掺杂区，所述第三掺杂区包括温度敏感的半导体材料；第一接触件，其耦接到所述第一掺杂区；第二接触件，其与所述第一接触件相对，所述第二接触件耦接到所述第二掺杂区；以及隔离沟槽，其用于界定所述第三掺杂区。
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