[发明专利]一种石墨烯插层化合物的制备方法在审
| 申请号： | 201811344819.4 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109437175A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 苗中正;田华雨;苗中明 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯插层化合物的制备方法。运用熔融盐法将无水三氯化铁与石墨混合加热制备二阶石墨插层化合物，采用氧化剂和浓酸对二阶石墨烯插层化合物进行氧化插层，将产物离心清洗后加入水中超声分散，得到石墨烯插层化合物材料。本发明方法能够宏量制备可以分散在常见溶剂中的石墨烯插层化合物，便于应用在微电子器件的制造领域，所用步骤简单，设备要求不高，适于工业或实验室操作。 | ||
| 搜索关键词： | 插层化合物 石墨烯 制备 二阶 石墨插层化合物 无水三氯化铁 氧化剂 微电子器件 超声分散 混合加热 离心清洗 熔融盐法 设备要求 石墨 溶剂 插层 浓酸 水中 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯插层化合物的制备方法，包括如下步骤：(1)运用熔融盐法将无水三氯化铁与石墨混合加热制备二阶石墨插层化合物；(2)采用氧化剂和浓酸对二阶石墨烯插层化合物进行氧化插层，将产物离心清洗后在水中超声分散。
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