[发明专利]晶片结构及其修整方法有效
| 申请号： | 201811346956.1 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786212B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 江浩宁;庄铭德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶片结构及其修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。在第一晶片的第一表面上形成第一预修整标记，其中形成第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着第一晶片的周边的路径。在第一预修整标记上且沿着第一预修整标记的路径修整第一晶片，以移除第一晶片的一部分并形成经修整边缘，所述经修整边缘上具有多个第一区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 结构 及其 修整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种修整方法，其特征在于，包括：提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；在所述第一晶片的所述第一表面上形成第一预修整标记，其中形成所述第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着所述第一晶片的周边的路径；以及在所述第一预修整标记上且沿着所述第一预修整标记的所述路径修整所述第一晶片，以移除所述第一晶片的一部分并形成经修整边缘，所述经修整边缘上具有多个第一区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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