[发明专利]功率半导体组件及电子设备在审
| 申请号： | 201811347983.0 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110034100A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 佐藤知稔;米田博之;田中研一;藤田耕一郎 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L25/16 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种开关噪声的降低效果较高的功率半导体组件及电子设备。在功率半导体组件(10)中，在绝缘层(121)的一侧的主面形成有由第一至第四电极部(111～114)构成的第一导电层，在另一侧的主面形成有作为第二导电层的导电性基板(101)，通过配置于第一导电层的表面的第一晶体管(131)及第二晶体管(132)的开关控制来切换电流路径从而实施电力转换。在第一电极部(111)及第二电极部(112)之间(区域A3)连接有电容器(141)，在区域A3第二导电层中流通有电流的情况下，能够利用电容器(141)中产生的充放电电流获得磁场抵消效果。 | ||
| 搜索关键词： | 功率半导体组件 电容器 第二导电层 第一导电层 电子设备 晶体管 主面 绝缘层 充放电电流 导电性基板 磁场抵消 第二电极 第一电极 电力转换 电流路径 开关控制 开关噪声 电极部 流通 配置 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体组件，在绝缘层的一侧的主面形成有由多个电极部构成的第一导电层，在所述绝缘层的另一侧的主面形成有第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层经由设置于所述绝缘层的开口部连接，在所述第一导电层的表面配置有多个开关元件及多个外部连接端子，通过所述开关元件的开关控制来切换电流路径从而实施电力转换，其特征在于，所述功率半导体组件至少具有一个电容器，所述电容器配置在所述第一导电层之上，并对所述多个电极部中的任意两个电极部进行连接，所述外部连接端子被制成如下端子构造：在该功率半导体组件连接有电源及负载以实施规定的电力转换工作的状态下，在与所述电容器对置的位置的所述第二导电层中流通有电流的情况下，在所述电容器中产生与在所述第二导电层中流通的电流相反方向的充放电电流。
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