[发明专利]半导体存储器件有效
申请号: | 201811348315.X | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN110047524B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 元炯植;金弘中 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/10;G11C7/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体存储器件,包括:感测放大器控制电路,其被配置为响应于激活信号、预充电信号和写入脉冲来产生第一感测放大器驱动电压施加信号、第二感测放大器驱动电压施加信号和第三感测放大器驱动电压施加信号;以及感测放大器驱动电压提供电路,其被配置为在第一感测放大器驱动电压施加信号至第三感测放大器驱动电压施加信号的使能时段期间通过第一驱动电压施加线和第二驱动电压施加线将驱动电压提供给感测放大器。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:感测放大器控制电路,其被配置为响应于激活信号、预充电信号和写入脉冲来产生第一感测放大器驱动电压施加信号、第二感测放大器驱动电压施加信号和第三感测放大器驱动电压施加信号;以及感测放大器驱动电压提供电路,其被配置为在所述第一感测放大器驱动电压施加信号至所述第三感测放大器驱动电压施加信号的使能时段期间将驱动电压提供给感测放大器。
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