[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本申请涉及半导体器件及其制造方法。改善了半导体器件的性能。多个第一栅极图案形成在半导体衬底的一部分的鳍之上。在相邻的第一栅极图案之间形成包括金属氧化物膜的栅极绝缘膜。然后，在栅极绝缘膜之上形成存储器栅极电极，以填充在相邻的第一栅极图案之间。然后，选择性地去除第一栅极图案，以经由栅极绝缘膜在存储器栅极电极的侧表面处形成第二栅极图案。然后，将离子注入到从存储器栅极电极和第二栅极图案露出的鳍中，以在鳍中形成延伸区域。在形成延伸区域期间，在鳍的侧表面处不形成栅极绝缘膜，因此没有抑制离子注入。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)使半导体衬底的上表面的一部分后退，并形成突出部分，所述突出部分是半导体衬底的一部分，并且从后退的所述半导体衬底的上表面突出、并沿着所述半导体衬底的主表面在第一方向上延伸；(b)以使得覆盖所述突出部分的上表面和侧表面的方式，形成第一导电膜；(c)图案化所述第一导电膜，并且由此形成在与所述第一方向正交的第二方向上延伸的多个第一栅极图案；(d)在所述第一栅极图案的上表面和侧表面之上、以及在相互邻近的所述第一栅极图案之间的突出部分的上表面和侧表面之上，形成第一栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜包括金属氧化物膜；(e)在所述第一栅极绝缘膜之上，以使得在相邻的所述第一栅极图案之间进行填充的方式，形成沿所述第二方向延伸的存储器栅极电极；(f)在步骤(e)之后，去除形成在所述第一栅极图案的上表面之上的所述第一栅极绝缘膜；(g)在步骤(f)之后，去除所述第一栅极图案的一部分，并且由此形成第二栅极图案，所述第二栅极图案在所述第二方向上延伸、并且由剩余的所述第一栅极图案形成，剩余的所述第一栅极图案经由所述第一栅极绝缘膜而在所述存储器栅极电极的在所述第一方向上的侧表面处；和(h)对从所述存储器栅极电极和所述第二栅极图案露出的所述突出部分进行离子注入，并且由此在所述突出部分中形成杂质区域。