[发明专利]一种太阳能电池片的处理方法有效
| 申请号： | 201811355011.6 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109599459B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张俊兵;王传红;秦怡 | 申请（专利权）人： | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波;刘艳丽 |
| 地址： | 225131 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池片的处理方法，包括以下步骤：S1：提供太阳能电池片，太阳能电池片包括硅基体，形成在所述硅基体的第一主表面上的第一硅薄膜层，以及形成在所述硅基体的第二主表面的部分表面和所述硅基体的侧面上的第二硅薄膜层；S2：采用化学氧化工艺在第一硅薄膜层上形成第一保护层，在第二硅薄膜层和第二主表面未形成第二硅薄膜层的表面上形成第二保护层；S3：采用第一刻蚀溶液去除第二保护层；S4：采用第二刻蚀溶液去除第二硅薄膜层；S5：采用第一刻蚀溶液去除第一保护层，形成单面设有硅薄膜的太阳能电池片。该方法采用纯化学方法实现单面刻蚀绕镀面的硅薄膜，工艺简洁，而且不受硅薄膜厚度的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池片的处理方法，包括以下步骤：S1：提供太阳能电池片，所述太阳能电池片包括硅基体(1)，形成在所述硅基体(1)的第一主表面(11)上的第一硅薄膜层(2)，以及形成在所述硅基体(1)的第二主表面(13)的部分表面和所述硅基体(1)的侧面上的第二硅薄膜层(3)；S2：采用化学氧化工艺在第一硅薄膜层(2)上形成第一保护层(4)，在第二硅薄膜层(3)和第二主表面(13)未形成第二硅薄膜层(3)的表面上形成第二保护层(5)；S3：采用第一刻蚀溶液去除第二保护层(5)；S4：采用第二刻蚀溶液去除第二硅薄膜层(3)；S5：采用第一刻蚀溶液去除第一保护层(4)，形成单面设有硅薄膜的太阳能电池片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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