[发明专利]用于半导体器件的图案化方法和由此产生的结构

摘要

本发明的实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该方法包括在目标层上方形成第一掩模层，在第一掩模层上方形成多个间隔件，在多个间隔件上方形成第二掩模层，并图案化第二掩模层以形成第一开口，其中，在平面图中，开口的主轴在与多个间隔件中的间隔件的主轴垂直的方向上延伸。该方法还包括在开口中沉积牺牲材料，图案化牺牲材料，使用多个间隔件和图案化的牺牲材料蚀刻第一掩模层，使用蚀刻的第一掩模层蚀刻目标层以在目标层中形成第二开口，并且用导电材料填充目标层中的第二开口。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上方形成第一掩模层；在所述第一掩模层上方形成多个间隔件；在所述多个间隔件上方形成第二掩模层并且图案化所述第二掩模层以形成第一开口，其中，在平面图中，所述开口的主轴在与所述多个间隔件中的间隔件的主轴垂直的方向上延伸；在所述开口中沉积牺牲材料；图案化所述牺牲材料；使用所述多个间隔件和图案化的所述牺牲材料蚀刻所述第一掩模层；使用蚀刻的所述第一掩模层蚀刻所述目标层，以在所述目标层中形成第二开口；以及用导电材料填充位于所述目标层中的所述第二开口。