[发明专利]一种半导体器件的终端结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811356122.9 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109346512A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘锋;周祥瑞;殷允超 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的终端结构及其制造方法，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有若干个环间距相同的场限环，且从有源区指向终端区的方向上，第一个场限环和最后一个场限环为连续场限环，连续场限环间设置有若干个间隔场限环，间隔场限环由若干个间隔分布的场限环注入区包围呈环形，且若干个间隔场限环、间隔场限环与连续场限环均连成一片，形成以场限环注入区为中心的浓度渐变梯度；本发明器件制造方法与现有半导体工艺兼容，不仅能提高器件的耐压能力，且能减小终端的宽度，增大有源区的面积，进而降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 场限环 连续场 半导体器件 终端结构 注入区 源区 制造 第一导电类型 半导体工艺 终端保护区 漂移 导通电阻 发明器件 间隔分布 渐变梯度 降低器件 耐压能力 终端区 减小 兼容 指向 终端 包围 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的终端结构，包括终端保护区，所述终端保护区环绕在元胞区的周围，所述终端保护区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型漂移区（2），其特征在于，在终端保护区，所述第一导电类型漂移区（2）内设有若干个环间距相同的场限环，且从有源区指向终端区的方向上，第一个场限环和最后一个场限环为连续场限环（3），连续场限环（3）间设置有若干个间隔场限环（4），所述间隔场限环（4）由若干个间隔分布的场限环注入区（5）包围呈环形，且若干个间隔场限环（4）、间隔场限环（4）与连续场限环（3）均连成一片，形成以场限环注入区（5）为中心的浓度渐变梯度。
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