[发明专利]快闪存储器与其形成方法及快闪存储器结构有效

专利信息
申请号: 201811360092.9 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN109786385B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 朱育贤;钟政桓;庄强名 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L29/423;H01L21/28
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明实施例关于快闪存储器与其形成方法及快闪存储器结构。快闪存储器包括基板与浮置栅极结构于基板上。浮置栅极结构包括第一部分,其具有第一上表面与第一厚度。浮置栅极结构亦包括第二部分,其具有第二上表面与第二厚度,且第二厚度不同于第一厚度。浮置栅极结构还包括侧壁表面,其连接第一上表面与第二上表面,且浮置栅极结构的第一上表面与侧壁表面之间的第一角度为钝角。快闪存储器亦包括控制栅极结构于浮置栅极结构的第一部分与第二部分上。
搜索关键词: 闪存 与其 形成 方法 结构
【主权项】:
1.一种快闪存储器,包括:一基板;一浮置栅极结构,位于该基板上,其中该浮置栅极结构包括:一第一部分,具有一第一上表面与一第一厚度;一第二部分,具有一第二上表面与一第二厚度,且该第二厚度不同于该第一厚度;以及一侧壁表面,连接该第一上表面与该第二上表面,其中该浮置栅极结构的该第一上表面与该侧壁表面之间的一第一角度为钝角;以及一控制栅极结构,位于该浮置栅极结构的该第一部分与该第二部分上。
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