[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201811360494.9 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN110034094A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 李基硕;金奉秀;金志永;韩成熙;黄有商 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体装置,包括多个导电结构,所述多个导电结构被布置在衬底上,并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开,其中多个导电结构中的每一个在第一方向上延伸。多个接触结构按照交替布置的方式被布置在导电结构之间,并且在第一方向上彼此间隔开。多个绝缘结构被布置在导电结构和接触结构之间的空间中。多个空气间隔件分别被布置在交替布置的多个导电结构和多个接触结构之间,并且在第一方向上彼此间隔开。
搜索关键词: 导电结构 接触结构 半导体装置 交替布置 绝缘结构 空气间隔 衬底 垂直 延伸
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:多个导电结构,其被布置在衬底上,并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开,所述多个导电结构中的每一个在所述第一方向上延伸;多个接触结构,其按照交替布置的方式被布置在所述导电结构之间,并且在第一方向上彼此间隔开;多个绝缘结构,所述绝缘结构中的每一个被布置在交替布置的所述导电结构和所述接触结构之间的空间中;以及间隔件,其被分别布置在交替布置的所述导电结构与所述接触结构之间,并且所述间隔件在所述第一方向上彼此间隔开。
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