[发明专利]一种导电结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811361331.2 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109545739A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 徐杰 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种导电结构的形成方法，包括：步骤S1，提供包括衬底的晶圆，衬底上形成有沟槽；步骤S2，采用一还原性气体对沟槽进行预处理；步骤S3，采用一气体处理工艺将沟槽中的还原性气体去除；步骤S4，采用一沉积工艺于沟槽中沉积用于填充沟槽的多晶硅层，以形成导电结构；能够避免形成具有空隙缺陷的导电结构，保证了导电结构具有优良的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电结构 还原性气体 衬底 沉积 半导体技术领域 预处理 多晶硅层 空隙缺陷 气体处理 电性能 晶圆 去除 填充 保证 | ||
【主权项】：
1.一种导电结构的形成方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供包括衬底的晶圆，所述衬底上形成有沟槽；步骤S2，采用一还原性气体对所述沟槽进行预处理；步骤S3，采用一气体处理工艺将所述沟槽中的所述还原性气体去除；步骤S4，采用一沉积工艺于所述沟槽中沉积用于填充所述沟槽的多晶硅层，以形成导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
