[发明专利]一种产磁小体铁氧化菌的培养方法在审
| 申请号： | 201811362852.X | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109207414A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 晏磊;张爽;范欣欣;张玉;王伟东 | 申请（专利权）人： | 黑龙江八一农垦大学 |
| 主分类号： | C12N1/20 | 分类号： | C12N1/20;C12R1/01 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 163319 黑*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种产磁小体铁氧化菌的培养方法，包括以下步骤：将产磁小体铁氧化菌接种到培养基中，发酵培养，培养温度为20‑25℃。本发明除培养温度外还进一步考虑了培养基的成分、通氧量等参数对铁氧化菌磁小体产量的影响，最终实现了显著提高磁小体产率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 磁小体 铁氧化菌 培养基 发酵培养 通氧量 产率 接种 | ||
【主权项】：
1.一种产磁小体铁氧化菌的培养方法，其特征在于，包括以下步骤：将产磁小体铁氧化菌接种到培养基中，发酵培养，培养温度为20‑25℃。
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