[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201811366947.9 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111199880B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件。所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层包括刻蚀区和保留区，所述保留区为去除所述刻蚀区后用作刻蚀所述半导体衬底的掩膜的区域；在所述介质层上形成图案化的核心层和覆盖所述介质层和所述核心层的侧墙层，相邻两个所述核心层之间的所述侧墙层形成凹槽；对所述侧墙层执行图形化工艺，以去除位于所述核心层顶部表面和位于所述刻蚀区中的所述凹槽底部的所述侧墙层，以露出所述刻蚀区的第一部分；形成覆盖所述第一部分的介质阻挡层，所述介质阻挡层顶部与所述核心层齐平；去除所述核心层和所述介质阻挡层以露出所述刻蚀区。根据本发明提高了器件性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
