[发明专利]一种低温多晶硅的制备方法及微波加热设备有效
| 申请号： | 201811367000.X | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109473340B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 严茂程 | 申请（专利权）人： | 上海中航光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H05B6/64 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温多晶硅制备方法及微波加热设备。其中，该低温多晶硅的制备方法包括：提供一基板；在所述基板的一侧形成非晶硅层；进行微波加热，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层；其中，在所述基板的一侧形成非晶硅层之前，和/或，在所述基板的一侧形成非晶硅层之后以及在进行微波加热将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之前，还包括：形成晶化诱导膜。本发明实施例提供的低温多晶硅制备方法和微波加热设备，可以解决常规多晶硅退火工艺晶化均一性低，工艺难度大，产品良率低的问题，使多晶硅制备温度有效降低，晶粒也更加均匀，同时，可以降低制备工艺难度和设备成本，获得成本更低、品质更高且良率更高的多晶硅产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 制备 方法 微波 加热 设备 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅制备方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板的一侧形成非晶硅层；进行微波加热，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层；其中，在所述基板的一侧形成非晶硅层之前，和/或，在所述基板的一侧形成非晶硅层之后以及在进行微波加热将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之前，还包括：形成晶化诱导膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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