[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811368089.1 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111199917B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；图形化所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部包括底部鳍部以及位于所述底部鳍部上的顶部鳍部，与所述鳍部延伸方向相垂直的方向上，所述顶部鳍部的宽度小于所述底部鳍部的宽度；在所述鳍部露出的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构至少覆盖所述底部鳍部的侧壁，且所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部。本发明通过形成宽度更大的底部鳍部，增大了所述底部鳍部的体积、以及所述鳍部和所述衬底的接触面面积，相应增强器件工作时产生的热量向衬底内的散发效果，从而提高了器件的散热性能，相应改善了器件的自发热效应，进而使器件性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
