[发明专利]光刻曝光工艺的方法有效
| 申请号： | 201811381911.8 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109814341B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 吴尚颖;简上杰;刘柏村;陈立锐;郑博中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光刻曝光工艺的方法。此方法包括以激光光束激化目标液滴，以产生极紫外线(EUV)光。此方法还包括以聚光器反射极紫外线光。此方法亦包括经由安置在聚光器旁的气体分配器排放清洁气体至聚光器上。在清洁气体离开气体分配器之前，一部分的清洁气体被转化为自由基，且自由基与清洁气体一起被排放至聚光器上。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻曝光工艺的方法，包括：以一激光光束照射一目标液滴，以产生一极紫外线光；以一聚光器反射该极紫外线光；以及通过位于该聚光器旁边的一气体分配器，排放一清洁气体至该聚光器上，其中在该清洁气体离开该气体分配器前，一部分的该清洁气体转化为多个自由基，且该自由基与该清洁气体被排放至该聚光器上。
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