[发明专利]三维半导体存储器件

摘要

提供一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，提供在衬底上以沿第一方向延伸并包括电极，电极垂直地堆叠在衬底上并包括堆叠在连接区域上以具有阶梯结构的垫部分；单元垂直结构，提供在单元阵列区域上以穿透电极结构；虚设垂直结构，提供在连接区域上以穿透每个电极的垫部分；以及单元接触插塞，联接到电极的垫部分。每个单元接触插塞可以具有非圆形顶表面，并且在俯视图中，虚设垂直结构可以布置为围绕每个单元接触插塞。

主权项

1.一种三维半导体存储器件，包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，提供在所述衬底上以沿第一方向延伸，并且包括垂直地堆叠在所述衬底上的电极，所述电极的每个包括多个垫部分之中的相应垫部分，所述多个垫部分堆叠在所述连接区域上以形成阶梯结构；多个单元垂直结构，提供在所述单元阵列区域上，并且构造为穿透所述电极结构；多个虚设垂直结构，提供在所述连接区域上，并且构造为穿透所述电极的每个的所述相应垫部分；以及多个单元接触插塞，所述多个单元接触插塞的每个联接到所述多个垫部分之中的对应一个，其中所述多个单元接触插塞的每个的顶表面具有第一长度和小于所述第一长度的第一宽度，以及当在俯视图中观察时，所述多个虚设垂直结构的相应组被布置为围绕所述多个单元接触插塞中的对应一个。