[发明专利]半导体器件的制作方法与半导体器件在审
| 申请号： | 201811393149.5 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111211122A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗叡 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件的制作方法及半导体器件。方法包括：提供具有沟槽隔离结构的第一导电类型的半导体衬底；于相邻沟槽隔离结构之间的半导体衬底上进行两次相反导电类型掺杂剂的注入以形成有源区；于有源区中形成字线沟槽并在字线沟槽中形成埋入式栅极结构，字线沟槽贯穿第二掺杂区域并部分贯穿第一掺杂区域；于相邻字线沟槽之间的有源区上形成位线接触区；在位线接触区下形成连接第二掺杂区域的第三掺杂区域。本公开提供的制作方法可以在限制LDD区域宽度的同时提高LDD区域的活化离子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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