[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，通过多次离子注入来形成源漏区，在每次离子注入时，通过修剪光阻层，使得光阻层中的图案沿着栅长方向向两侧扩充，使得后一次注入的横向范围扩大，而较前一次离子注入，本次离子注入中的注入能量增大且剂量减小。这样，就形成了从源漏区中部至两侧离子注入浓度依次减小、注入深度依次增加源漏区，就在栅长方向上形成了具有梯度变化的源漏区，从而提高了器件的击穿电压，在此过程中，减少形成梯度变化的源漏区中的热预算，实现了器件击穿电压提高与器件速度提高二者的平衡，有助于器件性能的全面提高。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的衬底区域为源漏区域；形成光阻层，所述光阻层中的图案暴露所述源漏区域的中部；进行第1次离子注入，而后，进行第i次修剪注入工艺，以在所述源漏区域中形成源漏区，i从1至I，I≥2且为正整数，所述第i修剪注入工艺包括：进行光阻层的第i次修剪，以在栅长方向上从两侧扩充所述光阻层中图案的所在区域；进行第i+1次离子注入；其中，从第1次离子注入至第I次离子注入，离子注入的掺杂类型相同，离子注入的能量依次增大、剂量依次减小。