[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效
| 申请号： | 201811398432.7 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109817795B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | P.纳格尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/60;H01L25/075 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 光电子器件和用于制造光电子器件的方法。光电子器件具有带有安装面的载体。在安装面上方布置至少一个被构造为发射电磁辐射的光电子半导体芯片。模制材料被布置在安装面上方，其中所述光电子半导体芯片被嵌入在模制材料中。在模制材料中构造出空腔。空腔是空的。光电子半导体芯片的辐射发射面不被模制材料所覆盖。该空腔可通过在模制材料中的开口接近。开口的开口面比光电子半导体芯片的所有辐射发射面的总和小。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.光电子器件（11,12,13），包括：具有安装面（21）的载体（20），其中，在所述安装面（21）上方布置构造成用于发射电磁辐射（80）的至少一个光电子半导体芯片（30），其中在所述安装面（21）上方布置模制材料（60），其中所述光电子半导体芯片（30）被嵌入在所述模制材料（60）中，其中空腔（71）被构造在所述模制材料（60）中，其中所述空腔（71）是空的，其中所述光电子半导体芯片（30）的辐射发射面（34）不被所述模制材料（60）覆盖，其中，所述空腔（71）能通过所述模制材料（60）中的开口（72）予以接近，其中，所述开口（72）的开口面（73）小于所述光电子半导体芯片（30）的所有辐射发射面（34）的总和。
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