[发明专利]晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质在审
| 申请号： | 201811398609.3 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111211038A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 黄德权 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆的粗糙处理方法，涉及半导体工艺领域，该粗糙处理方法包括步骤：将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。本发明实施例还提供了晶圆的粗糙处理装置和存储介质，能有效提高处理后的晶圆的背面粗糙度，从而提高蒸镀金属的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 粗糙 处理 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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