[发明专利]一种高纯二氧化锗的制备方法有效
| 申请号： | 201811398996.0 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109437284B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;聂玉 | 申请（专利权）人： | 衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 421001 湖南省衡*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高纯二氧化锗的制备方法，步骤如下：以普通二氧化锗为原料，将其缓慢加入到水中与水反应，反应产物干燥后得到二氧化锗粉体；将二氧化锗粉体在真空条件下进行熔化，得到二氧化锗液体；二氧化锗液体直接倒入到600‑700℃的模具中，恒温，然后逐渐冷却到300‑400℃，恒温，再冷却至室温，得到二氧化锗锭；二氧化锗锭放入加热装置中，先缓慢升温至1200‑1250℃，恒温，再缓慢降温至600℃‑800℃，恒温，再降温至常温得到高纯二氧化锗。采用上述方法得到的高纯二氧化锗的纯度达到99.9999％以上，并且含氯量低于0.004％，整个过程中不需要加入化学试剂，对环境无污染，操作简便，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)以普通二氧化锗为原料，将其缓慢加入到水中与水反应，反应产物干燥后得到二氧化锗粉体；2)将二氧化锗粉体在真空条件下进行熔化，得到二氧化锗液体；3)将二氧化锗液体直接倒入到600‑700℃的模具中，恒温1‑2h，然后逐渐冷却到300‑400℃，恒温0.5‑1h，再冷却至室温，得到二氧化锗锭；4)将二氧化锗锭放入加热装置中，先缓慢升温至1200‑1250℃，恒温2‑3h后，再缓慢降温至600℃‑800℃，恒温1‑2h后，再降温至常温得到高纯二氧化锗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司，未经衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811398996.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种纳米二氧化锗生产技术新工艺
- 下一篇：一种绿色环保生产二氧化锗的方法
