[发明专利]涉及冗余区域的修复的半导体装置有效
| 申请号： | 201811399230.4 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110277130B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 高根植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括熔丝阵列、字线解码器、位线解码器、存储体信息比较电路和断裂电路。字线解码器被配置为基于存储体选择地址信号来选择熔丝阵列的字线。位线解码器被配置为基于故障行地址信号来选择熔丝阵列的位线。存储体信息比较电路和断裂电路被配置为当故障存储体地址信号和存储体选择地址信号彼此对应时使耦接到字线和位线的熔丝断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 涉及 冗余 区域 修复 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：熔丝阵列；字线解码器，其被配置为基于存储体选择地址信号来选择所述熔丝阵列的字线；位线解码器，其被配置为基于故障行地址信号来选择所述熔丝阵列的位线；存储体信息比较电路，其被配置为通过将故障存储体地址信号与所述存储体选择地址信号进行比较来产生断裂使能信号；以及断裂电路，其被配置为基于所述断裂使能信号来使耦接到选中字线和选中位线的熔丝断裂。
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