[发明专利]一种线性电路辐射缺陷提取方法有效
| 申请号： | 201811404082.0 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109557442B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李鹏伟;李兴冀;罗志勇;杨剑群;吕贺;万鹏飞 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学;中国空间技术研究院;锦州七七七微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 闫冬;吴航 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。本发明所述的线性电路辐射缺陷提取方法，通过切割筛选的方式，对线性电路中的分立器件进行分离，并引出电极，从而可以对线性电路中的分立器件独立地进行缺陷测试，从而丰富现有的低剂量率增强效应的研究，达到更好的研究效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 电路 辐射 缺陷 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。
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