[发明专利]具有电磁干扰屏蔽层的半导体封装有效

专利信息
申请号: 201811404185.7 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN110400790B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 崔福奎;严柱日;林相俊 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L23/552;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王小东;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供具有电磁干扰屏蔽层的半导体封装。该半导体封装可以包括:布置在基板上的芯片;布置在所述基板上的导电结构,该导电结构包括导电结构框架,所述导电结构框架包括面向所述芯片的至少一个侧表面的侧表面,并且所述导电结构包括从所述导电结构框架朝所述基板的边缘延伸的导电结构指状物;以及电磁干扰(EMI)屏蔽层,该EMI屏蔽层覆盖所述芯片以及所述导电结构,并且接触所述导电结构指状物中的一个或者多个导电结构指状物的端部的侧表面。
搜索关键词: 具有 电磁 干扰 屏蔽 半导体 封装
【主权项】:
1.一种半导体封装,该半导体封装包括:布置在基板上的芯片;布置在所述基板上的导电结构,该导电结构包括导电结构框架,所述导电结构框架包括面向所述芯片的至少一个侧表面的侧表面,并且所述导电结构包括从所述导电结构框架朝所述基板的边缘延伸的导电结构指状物;以及电磁干扰即EMI屏蔽层,该EMI屏蔽层覆盖所述芯片以及所述导电结构,并且接触所述导电结构指状物中的一个或者多个导电结构指状物的端部的侧表面。
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