[发明专利]光照射装置及薄膜形成装置在审
| 申请号： | 201811404713.9 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109887859A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 柿村崇;北村嘉孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/368 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可使氧化铟前驱物良好地活化的光照射装置及薄膜形成装置。所述光照射装置从多个准分子灯(51)对形成有包含氧化铟前驱物的涂布膜的基板(W)照射紫外线。多个准分子灯(51)与基板(W)的照射间隔(d)明显比多个准分子灯(51)的排列间隔(p)短。照射间隔(d)为2mm以上且10mm以下。将多个准分子灯(51)与基板(W)之间的空间设为大气环境。使基板(W)相对于多个准分子灯(51)滑动移动，由此在含有氧的环境中将紫外线均匀地照射在基板(W)上的涂布膜上，而使涂布膜中所含有的氧化铟前驱物良好地光学活化。 | ||
| 搜索关键词： | 准分子灯 基板 光照射装置 照射 前驱物 涂布膜 氧化铟 薄膜形成装置 紫外线 大气环境 光学活化 滑动移动 排列间隔 活化 | ||
【主权项】：
1.一种光照射装置，其是对形成有包含氧化铟前驱物的涂布膜的基板照射紫外线来使所述氧化铟前驱物光学活化的光照射装置，其特征在于包括：多个棒状的准分子灯，沿着规定方向相互平行地排列；以及移动部，使所述基板相对于多个所述准分子灯，沿着所述规定方向相对地移动；且多个所述准分子灯与通过所述移动部而移动的所述基板的照射间隔比多个所述准分子灯的排列间隔短。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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