[发明专利]非易失性存储设备及其编程方法在审
| 申请号： | 201811406794.6 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109841254A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 尹盛远;林惠镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/08;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储设备包含多个存储单元，所述存储单元包含第一存储单元和第二存储单元。一种对非易失性存储设备进行编程的方法，包含：执行第一编程，以将编程强制电压施加到每个第一存储单元的位线；并且在执行第一编程之后基于第二存储单元的阈值电压，将第二存储单元划分为第一单元组、第二单元组和第三单元组。所述方法还包含执行第二编程，以将编程禁止电压施加到每个第一存储单元的位线和第一单元组的每个存储单元的位线。所述编程强制电压的电平低于编程禁止电压的电平。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 存储单元 单元组 非易失性存储设备 第二存储单元 位线 电压施加 阈值电压 | ||
【主权项】：
1.一种包含多个存储单元的非易失性存储设备的编程方法，所述多个存储单元包含第一存储单元和第二存储单元，所述第二存储单元具有低于所述第一存储单元的阈值电压的阈值电压，所述方法包括：执行第一编程，以将编程强制电压施加到每个所述第一存储单元的位线；执行所述第一编程之后，基于所述第二存储单元的阈值电压，将所述第二存储单元划分为第一单元组、第二单元组和第三单元组；并且执行第二编程，以将编程禁止电压施加到每个所述第一存储单元的所述位线和所述第一单元组的每个存储单元的位线，其中所述编程强制电压的电平低于所述编程禁止电压的电平。
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