[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法有效
申请号: | 201811418169.3 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109994513B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 金弘锡 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种可减少掩模的数量并且提高薄膜晶体管的特性的显示装置及制造该显示装置的方法。该显示装置包括:基板;和基板上的晶体管,晶体管包括:半导体层,半导体层设置在基板上;栅极绝缘图案,栅极绝缘图案设置在半导体层上;多个栅电极,多个栅电极设置在栅极绝缘图案上;以及与栅极绝缘图案间隔开的源电极、源‑漏电极和漏电极,其中源电极与半导体层的顶表面接触,源‑漏电极与源电极相邻,多个栅电极中的一个栅电极在源电极与源‑漏电极之间,并且漏电极与源‑漏电极相邻,多个栅电极中的另一个栅电极在漏电极与源‑漏电极之间。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,包括:基板;和所述基板上的晶体管,所述晶体管包括:半导体层,所述半导体层设置在所述基板上;栅极绝缘图案,所述栅极绝缘图案设置在所述半导体层上;多个栅电极,所述多个栅电极设置在所述栅极绝缘图案上;以及与所述栅极绝缘图案间隔开的源电极、源‑漏电极和漏电极,其中所述源电极与所述半导体层的顶表面接触,所述源‑漏电极与所述源电极相邻,所述多个栅电极中的一个栅电极在所述源电极与所述源‑漏电极之间,并且所述漏电极与所述源‑漏电极相邻,所述多个栅电极中的另一个栅电极在所述漏电极与所述源‑漏电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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