[发明专利]设计掩模的方法和使用该掩模制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201811426612.1 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN110032038B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 梁起豪;张准荣;金昌焕;徐成寿 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;H01L21/336 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在设计掩模的方法中,设计包括有源区、栅极结构、和栅极抽头的第一掩模,所述栅极抽头与所述有源区和所述栅极结构部分地重叠。改变所述第一掩模,使得所述栅极抽头的一部分延伸。对改变的第一掩模执行OPC以设计第二掩模。 | ||
搜索关键词: | 设计 方法 使用 制造 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种设计掩模的方法,所述方法包括:设计包括有源区、栅极结构、和栅极抽头的第一掩模,所述栅极抽头与所述有源区和所述栅极结构部分地重叠;改变所述第一掩模,使得所述栅极抽头的一部分延伸;以及对改变的第一掩模执行光学邻近校正以设计第二掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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