[发明专利]一种过渡金属族硫化物纳米片硫空位的制备方法有效
申请号: | 201811428631.8 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109455675B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 张跃;高丽;张铮;廖庆亮;高放放;张先坤;柳柏杉;杜君莉;于慧慧;洪孟羽;欧洋;肖建坤 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C01B17/20 | 分类号: | C01B17/20;C01F17/288;C01G1/12;C01G39/06;C01G41/00;C01B19/04;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于缺陷调控领域,涉及一种简单、温和、精确的过渡金属族硫化物硫空位的过渡金属族硫化物纳米片硫空位的制备方法。将制备好的过渡金属族硫化物纳米片转移到和它可牢固结合的基底上,放入配制的弱氧化性溶液中浸泡,随后用DI水洗掉残余的溶液,并用热板干燥。利用弱氧化性离子的电子诱导和过渡金属族硫化物硫空位的形成能的匹配,可以精确地实现硫空位的构筑而不引入其他类型的缺陷。此外,这种方法相比于传统的物理缺陷控制策略,不会引起局部材料的褶皱和破损。可以大面积的操控过渡金属族硫化物中的硫空位。同时,也和传统CMOS工艺兼容。因此,对于探索过渡金属族硫化物中硫空位的特性调控和推动缺陷工程的应用具有极大的意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 过渡 金属 硫化物 纳米 空位 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种过渡金属族硫化物纳米片硫空位的构筑方法,其特征在于,所述方法的具体步骤为:S1:将选取的过渡金属族硫化物纳米片转移到不与弱氧化性溶液反应的并且能和过渡金属族硫化物纳米片形成牢固接触的目标基底上,备用;S2:将弱氧化性溶液稀释至一定浓度的弱氧化性水溶液,放置棕色避光剥离器皿中,备用;S3:将S1得到的过渡金属族硫化物纳米片的目标基底放置于S2中的棕色避光剥离器皿中浸泡,随后用去离子水清洗,实现全液相化学硫空位的构筑;最后将清洗完成的样品进行干燥后得到一半本征,一半用弱氧化性溶液构筑过的纳米片。
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