[发明专利]微阵列及其形成方法在审
| 申请号： | 201811428796.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109839805A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 顾子琨;钟曜光;张钧豪 | 申请（专利权）人： | 台湾生捷科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;C40B40/04;C40B40/06;C40B50/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微阵列及其形成方法，且其形成方法包括以下步骤。提供固体基质及微型LED阵列，其中所述固体基质包括对应于所述微型LED阵列的多个LED的多个区域。在所述多个区域中分别形成具有光敏感保护基的单体。照射所述多个区域中的至少一者，以移除所述多个区域中的所述至少一者中的所述单体的所述光敏感保护基，其中所述照射是通过开启所述微型LED阵列中的对应于所述多个区域中的至少一者的LED。将单体结合至所述多个区域中的所述至少一者中的所述经去保护基的单体。重复所述照射与结合步骤，以分别在所述多个区域中形成探针。 | ||
| 搜索关键词： | 微型LED阵列 照射 固体基质 光敏感 微阵列 去保护 探针 移除 重复 | ||
【主权项】：
1.一种形成微阵列的方法，包括：提供固体基质及微型LED阵列，其中所述固体基质包括对应于所述微型LED阵列的多个LED的多个区域；在所述多个区域中分别形成具有光敏感保护基的单体；照射所述多个区域中的至少一者，以移除所述多个区域中的所述至少一者中的所述单体的所述光敏感保护基，其中所述照射是通过开启所述微型LED阵列中的对应于所述多个区域中的至少一者的LED；将单体结合至所述多个区域中的所述至少一者中的经去所述光敏感保护基的所述单体；以及重复所述照射与结合步骤，以分别在所述多个区域中形成探针。
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