[发明专利]一种模拟倒装芯片底部填充工艺过程中边缘效应的方法在审
| 申请号： | 201811429397.0 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109558671A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王彦;朱文辉;王康伦 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人： | 叶碧莲 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种模拟倒装芯片底部填充工艺过程中边缘效应的方法，其特征在于，所述方法包括设置材料属性，对倒装芯片的选定区域进行建模，建立数值模拟的几何模型以及边界条件，采用边界条件模拟边缘效应。通过本发明能精确预测流体前沿形状随时间的演变，特别是能够精确模拟边缘效应。且在模拟边缘效应时，不需要延长倒装芯片侧边处无焊点区域的长度，也不需要将倒装芯片外围区域纳入建模，能有效减轻计算负担。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘效应 倒装芯片 边界条件 底部填充 工艺过程 建模 几何模型 设置材料 数值模拟 外围区域 选定区域 侧边处 无焊点 流体 预测 | ||
【主权项】：
1.一种模拟倒装芯片底部填充工艺过程中边缘效应的方法，其特征在于，所述方法包括设置材料属性，对倒装芯片的选定区域进行建模，建立数值模拟的几何模型以及边界条件，采用边界条件模拟边缘效应，边界条件设置为：如果y大于L，则输出Patm‑△p，如果y小于等于L，则输出Patm，其中Patm为标准大气压，L为侧边边界上的流体前沿位置，△p为流体的流动由进口和流体界面处的压差。
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