[发明专利]针对封装器件的磁感应器结构在审
| 申请号： | 201811433649.7 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979908A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | P.查特杰;J.赵;S.瓦德拉马尼;王颖;R.贾因;A.J.布朗;L.A.林克;徐澄;S.C.李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/64;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成封装内感应器结构的方法/结构。实施例包括含有介电材料的基板，该基板具有第一侧面和第二侧面。导电迹线位于介电材料内。第一层在导电迹线的第一侧面上，其中第一层包括电镀的磁性材料，并且其中第一层的侧壁邻近介电材料。第二层在导电迹线的第二侧面上，其中第二层包括电镀的磁性材料，并且其中第二层的侧壁邻近介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 介电材料 导电迹线 第一层 侧面 磁性材料 电镀 侧壁 基板 邻近 感应器结构 磁感应器 封装器件 结构描述 封装 | ||
【主权项】：
1.一种微电子封装结构，包括：包括介电材料的基板，所述基板具有第一侧面和第二侧面；位于所述介电材料内的导电迹线；在所述导电迹线的第一侧面上的第一层，其中所述第一层包括磁性材料，并且其中所述第一层的侧壁邻近所述介电材料；以及在所述导电迹线的第二侧面上的第二层，其中所述第二层包括所述磁性材料，并且其中所述第二层的侧壁邻近所述介电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811433649.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
