[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，该阵列基板的制造方法通过分段刻蚀使像素区域内的第一接触孔处的第一保护层和第二保护层形成不同的坡度角，同时通过分段刻蚀形成端子区域内的端子接触孔，该分段刻蚀工艺可以有效地减少第一接触孔处像素电极和源漏电极层之间的阻抗，提升阵列基板不同像素区域内该阻抗的均一性，并且有效解决了端子接触孔所需刻蚀量比第一接触孔所需刻蚀量更大所导致的像素电极爬坡状况不佳问题。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：第一步：在衬底基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化形成位于像素区域内的栅极和与栅极连接的扫描线、位于端子区域内的栅极；第二步，在第一金属层上覆盖并形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成有源层，再在有源层上形成源漏电极层；第三步：在上述第二步的基础上覆盖并形成第一保护层，再在第一保护层上覆盖并形成有机绝缘层，对有机绝缘层进行图案化形成位于像素区域内的第一开口和位于端子区域内的第二开口；第一开口暴露出需要形成第一接触孔位置的第一保护层，第二开口用于暴露出需要形成端子接触孔位置的第一保护层；第四步：在有机绝缘层上沉积第一透明导电层，对第一透明导电层进行图案化形成位于像素区域内的公共电极；第五步：在上述第四步的基础上沉积第二保护层；在像素区域内，分两次刻蚀对第二保护层和第一保护层进行图案化形成第一接触孔，第一接触孔位于第一开口内；同时在端子区域内，分两次刻蚀对第二保护层、第一保护层和栅极绝缘层进行图案化形成端子接触孔，端子接触孔位于第二开口内；第六步：在第二保护层上沉积第二透明导电层，对第二透明导电层进行图案化形成像素电极；在像素区域内，像素电极通过第一接触孔与源漏电极层电性连接。