[发明专利]一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法有效

专利信息
申请号: 201811434371.5 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN109756203B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 李国强 申请(专利权)人: 广州市艾佛光通科技有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H9/54;G06F30/36
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 杨艳;韩丹
地址: 510000 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法,对于具有双声学反射镜面FBAR,给出应用的要求频率,既定各层材料的厚度,而已知各振荡薄膜层材料的厚度,工作频率也是确定的。本发明通过对FBAR的谐振频率和振荡薄膜各层材料的厚度对应关系建立,使两者可进行相互推导预测。在FBAR的设计中,对确定的频率,而对各振荡层薄膜厚度进行预测,以及,对确定的各振荡层薄膜厚度,而对谐振频率进行预测,提供一种简单的,快速有效的方法,能够加快研发和生产进度。
搜索关键词: 一种 fbar 谐振 频率 振荡 薄膜 厚度 对应 关系 建立 方法
【主权项】:
1.一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法,其特征在于,已知FBAR振荡薄膜各层厚度,对应谐振频率关系的建立,包括以下步骤:根据FBAR理想压电层谐振条件,建立理想压电层与FBAR并联谐振频率的关联模型;根据机电耦合系数与FBAR谐振频率的对应关系,建立机电耦合系数与FBAR谐振频率的关联模型;针对FBAR滤波器中的每一个FBAR,获取每层结构的厚度,所述每层结构至少包括压电层、上电极层和下电极层;将获取的每层结构的厚度转化为理想压电层厚度,代入理想压电层与FBAR并联谐振频率的关联模型,获取FBAR并联谐振频率;获得压电层所用材料的机电耦合系数,将所获得到的压电层所用材料的机电耦合系数和FBAR并联谐振频率代入机电耦合系数与FBAR谐振频率的关联模型,获取FBAR串联谐振频率。
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