[发明专利]像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件有效
申请号: | 201811436167.7 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109713010B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 杜勇;甄常刮 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件。该像素隔离结构包括:基板;导电层,设置于基板的第一表面上,导电层包括多个间隔设置的导电结构,相邻导电结构之间具有间隔区域,且各导电结构具有导电侧壁和导电上壁;第一绝缘侧壁,位于间隔区域中并完全覆盖于导电侧壁的表面,间隔区域中除第一绝缘侧壁之外的区域构成像素隔离结构的像素区域。在利用上述像素隔离结构形成顶发射显示器件后,上述导电上壁通过与顶部电极连接,能够作为辅助电极起到均匀电流的目的,避免了由于顶部透明电极较薄而产生的中心像素与边缘像素的电压差降,实现了电流的均匀分布,从而实现了顶发射显示器件的均匀发光。 | ||
搜索关键词: | 像素 隔离 结构 制备 方法 具有 发射 显示 器件 | ||
【主权项】:
1.一种像素隔离结构,其特征在于,包括:基板(200);导电层(210),设置于所述基板(200)的第一表面上,所述导电层(210)包括多个间隔设置的导电结构(201),相邻所述导电结构(201)之间具有间隔区域(202),且各所述导电结构(201)具有导电侧壁和导电上壁;第一绝缘侧壁(220),位于所述间隔区域(202)中并完全覆盖所述导电侧壁的表面,所述间隔区域(202)中除所述第一绝缘侧壁(220)之外的区域构成所述像素隔离结构的像素区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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