[发明专利]像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件有效

专利信息
申请号: 201811436167.7 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN109713010B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 杜勇;甄常刮 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 韩建伟;谢湘宁
地址: 310052 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件。该像素隔离结构包括:基板;导电层,设置于基板的第一表面上,导电层包括多个间隔设置的导电结构,相邻导电结构之间具有间隔区域,且各导电结构具有导电侧壁和导电上壁;第一绝缘侧壁,位于间隔区域中并完全覆盖于导电侧壁的表面,间隔区域中除第一绝缘侧壁之外的区域构成像素隔离结构的像素区域。在利用上述像素隔离结构形成顶发射显示器件后,上述导电上壁通过与顶部电极连接,能够作为辅助电极起到均匀电流的目的,避免了由于顶部透明电极较薄而产生的中心像素与边缘像素的电压差降,实现了电流的均匀分布,从而实现了顶发射显示器件的均匀发光。
搜索关键词: 像素 隔离 结构 制备 方法 具有 发射 显示 器件
【主权项】:
1.一种像素隔离结构,其特征在于,包括:基板(200);导电层(210),设置于所述基板(200)的第一表面上,所述导电层(210)包括多个间隔设置的导电结构(201),相邻所述导电结构(201)之间具有间隔区域(202),且各所述导电结构(201)具有导电侧壁和导电上壁;第一绝缘侧壁(220),位于所述间隔区域(202)中并完全覆盖所述导电侧壁的表面,所述间隔区域(202)中除所述第一绝缘侧壁(220)之外的区域构成所述像素隔离结构的像素区域。
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