[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201811439333.9 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN110161399A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 李瑞浩;伊霍州·沃茨佐夫 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01R31/27 | 分类号: | G01R31/27 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体器件,包括:处理块,包括一个或多个知识产权块;扫描链块,电连接到知识产权块,其中,扫描链块具有扫描输入端和扫描输出端;模式生成电路,生成具有多个比特的数据模式并将数据模式输入到扫描链块的扫描输入端;分析电路,基于从扫描链块的扫描输出端输出的结果模式来确定每个知识产权块的劣化程度。 | ||
搜索关键词: | 扫描链 知识产权块 半导体器件 扫描输出 扫描输入 数据模式 模式生成电路 分析电路 结果模式 电连接 劣化 输出 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:处理块,包括一个或多个知识产权块;扫描链块,电连接到所述一个或多个知识产权块,其中,扫描链块具有扫描输入端和扫描输出端;模式生成电路,被配置为生成具有多个比特的数据模式并将数据模式输入到扫描链块的扫描输入端;分析电路,被配置为基于从扫描链块的扫描输出端输出的结果模式来确定所述一个或多个知识产权块中的每一个的劣化程度。
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