[发明专利]一种基于光电集成的光控功率晶闸管在审
| 申请号： | 201811446297.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109309002A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 顾芳 | 申请（专利权）人： | 江苏明芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种基于光电集成的光控功率晶闸管，包括以下制作步骤：S1、在P‑离子的半导体衬底内进行N‑离子和P‑离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N‑离子的半导体衬底内进行P‑离子和N‑离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；S2、第一次加热处理进行第一、二P阱与第一、二N阱的结推进；S3、将第一P阱和第二N阱进行导电粘结，将第二P阱和第一N阱进行导电粘结；S4、在两个所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S5、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S6、对半导体衬底进行深槽隔离。由此，晶闸管使用寿命长，制作方法简单，制作效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 衬底 制作 半导体 功率晶闸管 导电粘结 光电集成 加热处理 光控 深槽隔离 使用寿命 晶闸管 激活 申请 | ||
【主权项】：
1.一种基于光电集成的光控功率晶闸管，其特征在于：包括以下制作步骤：S1、在P‑离子的半导体衬底内进行N‑离子和P‑离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N‑离子的半导体衬底内进行P‑离子和N‑离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；S2、第一次加热处理进行第一、二P阱与第一、二N阱的结推进；S3、将第一P阱和第二N阱进行导电粘结，将第二P阱和第一N阱进行导电粘结；S4、在两个所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S5、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S6、对半导体衬底进行深槽隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏明芯微电子股份有限公司，未经江苏明芯微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811446297.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法
- 下一篇：鳍式场效应晶体管的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
