[发明专利]采用两个灵敏放大器技术抵抗位线泄漏电流的电路结构

摘要

本发明公开了一种采用两个灵敏放大器技术抵抗位线泄漏电流的电路结构，能够有效的抵抗由于位线泄漏电流引起的SRAM读取效率的降低和读失败，增强SRAM的稳定性同时降低了读延迟，提高了SRAM的读取速度。相比于现有技术中的SA电路，本方案提供的电路结构拥有更加稳定的性能，读数据所需要的时间在不同的位线泄漏电流下，变化不是很大，有很好的稳定性；并且在读取数据的时间上相比于现有技术中的SA电路，抗泄漏电流能力提高了412.8％，读取时间减少了290％。

主权项

1.一种采用两个灵敏放大器技术抵抗位线泄漏电流的电路结构，其特征在于，包括：第一与第二灵敏放大器、由传输门组成的第一与第二输出选择电路和一个电压跟随电路；其中，第一灵敏放大器、第一输出选择电路、电压跟随电路、第二输出选择电路及第二灵敏放大器依次连接，且传输门组成的输出选择电路还与第二灵敏放大器连接；通过第一灵敏放大器对两条位线电压对比，输出的电压差信号会控制第一输出选择电路选择位线电压较高的一端与电压跟随电路相连接，其中，位线电压较高也即泄漏电流较小，同时，第一输出选择电路还将选择的位线电压输入至第二灵敏放大器的一个差分输入管；之后，被跟随的位线的电压经过电压跟随电路产生两个跟随电压并经过第二输出选择电路选择后，输出其中一个跟随电压至第二灵敏放大器的另一个差分输入管，所述第二灵敏放大器将位线电压与跟随电压进行比较，产生输出信号，完成数据读取。