[发明专利]半色调掩膜版制作方法在审
申请号: | 201811452002.9 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109254493A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 杜武兵;林伟;吕振群 | 申请(专利权)人: | 深圳市路维光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙) 44320 | 代理人: | 黄莉 |
地址: | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供一种半色调掩膜版制作方法,包括以下步骤:提供母板,所述母板包括基板、半透层、透光阻隔层、遮光层和光阻层;在光阻层形成完全感光区、部分感光区和非感光区;去除已感光的光阻材料形成完全显影区和部分显影区;依次蚀除完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区;采用消化液与部分显影区内侧的剩余光阻层反应完全形成二次完全感光区;去除二次完全感光区内的反应产物形成二次完全显影区;蚀除二次完全显影区内侧的遮光层形成半透光图形区;去除残留的光阻层。本发明实施例用消化液与部分显影区内侧的剩余光阻层反应形成二次完全感光区,即可再通过显影、蚀刻形成半透光图形区,无需灰化炉,成本低。 | ||
搜索关键词: | 显影 感光区 光阻层 显影区 遮光层 去除 剩余光阻层 透光 半色调 半透光 图形区 消化液 掩膜版 阻隔层 半透 感光 母板 蚀除 蚀刻 透光图形区 非感光区 光阻材料 灰化炉 基板 制作 残留 | ||
【主权项】:
1.一种半色调掩膜版制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供母板,所述母板包括基板以及自所述基板一侧表面由内至外依次形成的半透层、透光阻隔层、遮光层和光阻层;对所述母板进行曝光,通过调整控制不同区域的曝光能量,在光阻层形成完全感光区、部分感光区和非感光区;采用显影液去除完全感光区和部分感光区内的已感光的光阻材料而分别对应形成完全显影区和部分显影区;采用蚀刻液依次蚀除所述完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区;采用消化液与所述部分显影区内侧的剩余光阻层反应完全而形成二次完全感光区;采用显影液去除所述二次完全感光区内消化液与光阻材料的反应产物形成二次完全显影区;采用蚀刻液蚀除所述二次完全显影区内侧的遮光层形成半透光图形区;去除残留的光阻层,获得带有透光图形区和半透光图形区的半色调掩膜版成品。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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