[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，其具有核心区和分别位于核心区相对两侧的第一阶梯区和第二阶梯区，且包括衬底和位于衬底上的堆叠层，第一阶梯区具有分离的第一和第二分区阶梯结构区，第二阶梯区具有分离的第三和第四分区阶梯结构区；处理堆叠层而在第一分区阶梯结构区形成第一阶梯结构，且在第二至第四分区阶梯结构区分别形成第二至第四初始阶梯结构，其中第一至第四初始阶梯结构位于堆叠层在深度方向上的第一部分；处理第二至第四初始阶梯结构而分别形成第二至第四阶梯结构，第二至第四阶梯结构任意地位于堆叠层在深度方向上的第二至第四部分，第一至第四部分在堆叠层的深度方向从上到下依次排列。

主权项

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区和分别位于所述核心区相对两侧的第一阶梯区和第二阶梯区，且所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层，其中所述第一阶梯区具有分离的第一分区阶梯结构区和第二分区阶梯结构区，所述第二阶梯区具有分离的第三分区阶梯结构区和第四分区阶梯结构区；处理所述堆叠层而在所述第一分区阶梯结构区形成第一阶梯结构，且在所述第二至第四分区阶梯结构区分别形成第二至第四初始阶梯结构，其中所述第一至第四初始阶梯结构位于所述堆叠层在深度方向上的第一部分；处理所述第二至第四初始阶梯结构而分别形成第二至第四阶梯结构，所述第二至第四阶梯结构任意地位于所述堆叠层在深度方向上的第二部分至第四部分，所述第一部分至所述第四部分在所述堆叠层的深度方向从上到下依次排列。