[发明专利]一种X射线平板探测器及其制备方法有效
申请号: | 201811454893.1 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109713001B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 杨华 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0203 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种X射线平板探测器及其制备方法。X射线平板探测器包括:基底,该基板包括非封装区域以及包围所述非封装区域的封装区域;反射层,涂覆于所述基板下表面;Frit封装层,形成于与基板的封装区域对应的所述反射层上;闪烁体层,形成于与基板非封装区域对应的所述反射层上;黏胶层,覆盖于所述可见光传感器表面;可见光传感器,位于所述Frit封装层上,与所述基板平行设置;其中,所述Frit封装层将所述闪烁体层封装在所述基板与所述可见光传感器组成的密闭腔体内。通过Frit封装闪烁体层,改善X射线平板探测器的封装密封性,提高在高温高湿环境条件下的可靠性和延长寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 射线 平板 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种X射线平板探测器,所述X射线平板探测器包括:基板,该基板包括非封装区域以及包围所述非封装区域的封装区域;反射层,涂覆于所述基板下表面;Frit封装层,形成于与基板的封装区域对应的所述反射层上;闪烁体层,形成于与基板非封装区域对应的所述反射层上;黏胶层,覆盖于与基板非封装区域对应的可见光传感器表面;可见光传感器,位于所述Frit封装层上,与所述基板平行设置;其中,所述Frit封装层将所述闪烁体层封装在所述基板与所述可见光传感器组成的密闭腔体内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的