[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本申请涉及半导体器件及其制造方法。提供以下半导体器件以提高其可靠性。在包括半导体衬底、绝缘层和半导体层的SOI衬底中，在半导体层中形成扩散区域，并且在扩散区域上形成与扩散区域电连接的插塞。在半导体衬底内形成元件隔离部分，并在元件隔离部分中形成沟槽。沟槽的底部的最低部分低于半导体衬底的表面，并且在沟槽的侧部部分中形成侧壁间隔物以覆盖绝缘层的侧表面。结果，即使当插塞形成在偏离位置时，也可以抑制半导体衬底和半导体层导通的缺点。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；绝缘层，形成在所述半导体衬底上；半导体层，形成在所述绝缘层上；杂质区域，形成在所述半导体层中；插塞，形成在所述杂质区域上并且与所述杂质区域电连接；以及元件隔离部分，形成在所述半导体衬底中，其中，沟槽形成在所述元件隔离部分中，其中，所述沟槽的底部部分的最低部分定位为低于所述半导体衬底的表面，以及其中，第一侧壁间隔物形成在所述沟槽的侧部部分上，以覆盖所述绝缘层的侧表面。