[发明专利]具有TSV结构的半导体封装在审
| 申请号： | 201811462529.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110120369A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 金容勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/373;H01L23/552;H01L25/18;H01L23/488;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体封装包括基板。包括两个半导体芯片的竖直堆叠芯片结构被安装在所述基板上。所述第三半导体芯片安装在所述基板上并与所述竖直堆叠芯片结构水平间隔开。封装模塑料设置在所述基板上并覆盖所述竖直堆叠芯片结构的侧壁且覆盖所述第三半导体芯片的侧壁。电磁屏蔽层沿着所述封装模塑料的侧壁并沿着所述封装模塑料的上表面延伸。所述第一半导体芯片设置在所述第二半导体芯片和所述基板之间。所述第一半导体芯片与第一接地通孔相连，并且与第一信号/电力通孔相连。所述第二半导体芯片与第二接地通孔相连。所述电磁屏蔽层与所述第二接地通孔相连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 基板 接地通孔 竖直堆叠 芯片结构 封装模 侧壁 半导体封装 电磁屏蔽层 塑料 半导体芯片安装 水平间隔 上表面 覆盖 通孔 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，包括：基板，包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；竖直堆叠芯片结构，安装在所述基板的所述第一表面上，所述竖直堆叠芯片结构包括第一半导体芯片和设置在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片；第三半导体芯片，安装在所述基板的所述第一表面上并与所述竖直堆叠芯片结构水平间隔开；封装模塑料，设置在所述基板的所述第一表面上并覆盖所述竖直堆叠芯片结构的侧壁且覆盖所述第三半导体芯片的侧壁；以及电磁屏蔽层，沿着所述封装模塑料的侧壁并沿着所述封装模塑料的上表面延伸，其中所述第一半导体芯片设置在所述第二半导体芯片和所述基板之间，其中所述第一半导体芯片与第一接地通孔相连，并且与第一信号/电力通孔相连，其中所述第二半导体芯片与第二接地通孔相连，以及其中所述电磁屏蔽层与所述第二接地通孔相连。
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