[发明专利]形成半导体器件的方法

摘要

提供了一种形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成第一晶种图案；在所述第一晶种图案上形成第一纳米棒结构；以及形成围绕所述第一纳米棒结构的第一侧表面同时暴露所述第一纳米棒结构的第一上表面的模制结构。所述第一纳米棒结构可以包括顺序堆叠在所述第一晶种图案上的多个纳米棒。所述多个纳米棒可以包括从所述第一晶种图案生长的最下部的纳米棒和形成在所述最下部的纳米棒上的多个上部纳米棒。所述模制结构可以包括围绕所述最下部的纳米棒的第二侧表面的最下部的模制层和顺序堆叠在所述最下部的模制层上的多个上部模制层。所述多个上部模制层中的至少一个上部模制层由与另一上部模制层的材料不同的材料形成。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一晶种图案；在所述第一晶种图案上形成第一纳米棒结构；以及形成围绕所述第一纳米棒结构的第一侧表面同时暴露所述第一纳米棒结构的第一上表面的模制结构，其中，所述第一纳米棒结构包括顺序堆叠在所述第一晶种图案上的多个纳米棒，其中，所述多个纳米棒包括：从所述第一晶种图案生长的最下部的纳米棒，以及形成在所述最下部的纳米棒上的多个上部纳米棒，所述多个上部纳米棒中的每个上部纳米棒是从相对于该上部纳米棒的相对较低的纳米棒生长的，其中，所述模制结构包括：围绕所述最下部的纳米棒的第二侧表面同时暴露所述最下部的纳米棒的第二上表面的最下部的模制层，以及顺序堆叠在所述最下部的模制层上的多个上部模制层，所述多个上部模制层分别对应于所述多个上部纳米棒，并且分别围绕所述多个上部纳米棒的侧表面，其中，所述多个上部模制层中的至少一个上部模制层由与另一上部模制层的材料不同的材料形成。